I ricercatori di IBM, che proprio quest’anno festeggia il suo primo secolo di attività, hanno annunciato di aver realizzato un nuovo tipo di memoria a cambiamento di fase (PCM) che consente di leggere e scrivere i dati 100 volte più velocemente rispetto ad una tradizionale memoria flash.

Ma non è l’unico vantaggio. Le memorie PCM, infatti, possono essere scritte almeno 10 milioni di volte, rispetto alle poche migliaia delle flash (nei casi migliori non si arriva a 30.000 cicli) ed hanno un basso costo.

Le memorie PCM sono costituite da un materiale in grado di cambiare fase, da amorfa a cristallina e viceversa, quando viene applicata una corrente. La fase cristallina, caratterizzata da bassa resistenza elettrica, corrisponde ad un 1 logico, quella amorfa, con alta resistenza, ad uno 0 logico. Il chip di prova creato da IBM è costituito da 200.000 celle ed è stato realizzato con tecnologia a 90 nanometri. Le prime memorie PCM di IBM arriveranno in commercio entro 5 anni.