Sono state diffuse dalla JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council), l’organizzazione che si occupa di definire gli standard nel campo dell’elettronica e dei semiconduttori, alcune anticipazioni sulle specifiche delle memorie DDR4, che verranno completate il prossimo anno.

La prima novità riguarda i consumi delle memorie, che lavoreranno ad una tensione di 1,2 volt contro gli 1,5 delle DDR3. Relativamente invece alle prestazioni la velocità di trasferimento per pin va da 1,6 GT/s fino ad un massimo di 3,2 GT/s.

Ciò consentirà di far lavorare le memorie, considerando i moltiplicatori di frequenza interni, a frequenze di lavoro decisamente elevate, probabilmente al di sopra dei 4 GHz. Numerose altre migliorie effettuate sull’architettura delle memorie permetteranno di migliorarne l’efficienza.